Perubahan terkait
Masukkan nama halaman untuk melihat perubahan pada halaman yang terpaut dari atau ke halaman tersebut (untuk melihat anggota sebuah kategori, masukkan Kategori:Nama kategori). Perubahan pada halaman yang ada di daftar pantauan Anda ditampilkan dicetak tebal.
Daftar singkatan:
- D
- Suntingan Wikidata
- S
- Ini adalah suntingan ke Wikistory yang ditautkan ke sebuah artikel
- B
- Suntingan ini membuat halaman baru (lihat pula daftar halaman baru)
- k
- Ini adalah suntingan kecil
- b
- Suntingan ini dilakukan oleh bot
- (±123)
- Perubahan ukuran halaman dalam bita
- Halaman yang dipantau sementara
8 Mei 2024
- bedariw B Proses 10 nm 18.00 +7.869 Hartanto Wibowo bicara kontrib (←Membuat halaman berisi 'Dalam fabrikasi semikonduktor, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) mendefinisikan " '''proses 10 nanometer''' " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm". Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misaln...')
- bedariw B Proses 22 nm 17.29 +3.472 Hartanto Wibowo bicara kontrib (←Membuat halaman berisi 'Node "2'''2 nm'''" adalah langkah proses setelah 32 nm dalam fabrikasi perangkat semikonduktor CMOS MOSFET. Half-pitch yang khas (yaitu, setengah jarak antara fitur identik dalam array) untuk sel memori yang menggunakan proses ini adalah sekitar 22 nm. Ini pertama kali didemonstrasikan oleh perusahaan semikonduktor untuk digunakan dalam memori RAM pada tahun 2008. Pada tahun 2010, Toshiba mulai mengirimkan chip memori...')
- bedariw B Proses 14 nm 08.10 +8.470 Hartanto Wibowo bicara kontrib (←Membuat halaman berisi '" '''Proses 14 nanometer'''" mengacu pada istilah pemasaran untuk node teknologi MOSFET yang merupakan penerus node "22 nm" (atau "20 nm"). "14 nm" dinamakan demikian oleh International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Hingga sekitar tahun 2011, simpul yang mengikuti "22 nm" diharapkan menjadi "16 nm". Semua node "14 nm" menggunakan teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupak...')