Transistor elektron tunggal

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas
Skema dari Transistor elektron tunggal
Transistor elektron tunggal

Transistor elektron tunggal adalah suatu perangkat sederhana di mana efek blokade Coulomb (Inggris: Coulomb blockade) dapat diamati. Perangkat ini terdiri dari dua buah sambungan terowongan, yang berbagi dengan sebuah elektrode biasa berkapasitas rendah, yang dikenal sebagai (Inggris: the island). Potensi listrik dari sambungan terowongan tersebut dapat disetel oleh elektrode ketiga (Inggris: the gate), di mana kapasitas digabungkan pada sambungan terowongan tersebut.[1]

Rujukan[sunting | sunting sumber]

  1. ^ D.V. Averin dan K.K Likharev Mesoscopic Phenomena in Solids, editor oleh B.L. Altshuler, P.A. Lee, dan R.A. Webb (Elsevier, Amsterdam, 1991)

Pranala luar[sunting | sunting sumber]