Transistor efek medan peka-ion

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas
Langsung ke: navigasi, cari
Transistor efek medan peka-ion
Tipe Komponen aktif
Kategori Transistor FET
Prinsip kerja Ionisasi pertemuan
Komponen sejenis MOSFET, DNAFET
Kemasan 3 kaki (sumber, cerat, gerbang bercelah)

Transistor efek medan peka-ion (ISFET) adalah jenis transistor efek medan yang dapat digunakan untuk mengukur konsentrasi ion dalam suatu larutan.

Konstruksi[sunting | sunting sumber]

Sumber dan cerat pada ISFET dikonstruksi seperti pada MOSFET. Biasanya bahan gerbang adalah Silikon nitrit (Si3N4), Aluminium oksida (Al2O3) dan Tantalum oksida (Ta2O5). Elektroda gerbang dipisahkan dari kanal oleh sebuah penghalang yang sensitif terhadap ion hidrogen dan sebuah celah untuk memungkinkan larutan yang diukur untuk berhubungan dengan penghalang peka-ion.

Cara kerja[sunting | sunting sumber]

Ketika konsentrasi ion (seperti pH) berubah, arus listrik yang mengaliri transistor juga berubah. Disini, larutan yang diukur digunakan sebagai elektrode gerbang. Hidrolisis permukaan dari kelompok OH pada bahan gerbang bervariasi pada larutan aquos yang dikenakan pada transistor dikarenakan harga pH. Tegangan listrik yang membentangi badan dan permukaan oksida meningkat disebabkan oleh selongsong ion disekitar pertemuan. Tegangan tahan pada ISFET juga bergantung pada pH dari larutan yang berhubungan dengan penghalang peka-ion.

Penggunaan[sunting | sunting sumber]

Sesuai dengan namanya, transistor ini digunakan sebagai elemen pengindera pada alat pengukur pH elektronik. Walaupun keakuratannya masih rendah, komponen ini tetap digunakan karena praktis dan relatif murah.

Lihat pula[sunting | sunting sumber]

  • FET
  • DNAFET, transistor sejenis yang digunakan sebagai pembanding DNA.
  • MOSFET, transistor yang merupakan struktur dasar ISFET.

Referensi[sunting | sunting sumber]