Pengendapan uap kimia

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas
Langsung ke: navigasi, cari

Pengendapan uap kimia (bahasa Inggris: chemical vapor deposition, CVD) adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.

Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:

  • Panas: Thermal CVD
  • Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
  • Radiasi: Radiation Enhanced CVD