Herbert Kroemer

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas
Revisi sejak 6 April 2013 10.28 oleh EmausBot (bicara | kontrib) (Bot: Migrasi 32 pranala interwiki, karena telah disediakan oleh Wikidata pada item d:Q71016)

Herb Kroemer
Lahir25 Agustus 1928 (umur 95)
Weimar, Jerman
Tempat tinggalAmerika Serikat
KebangsaanJerman
Amerika Serikat
AlmamaterUniversitas Jena
Universitas Gottingen
Karier ilmiah
BidangTeknik Elektro
InstitusiFernmeldetechnisches Zentralamt
RCA Laboratories
Varian Associates
University of Colorado
Universitas California, Santa Barbara

| doctoral_advisor = Fritz Sauter | academic_advisors = | doctoral_students = William Frensley | notable_students = | known_for = Drift-field transistor
Double-heterostructure laser | influences = Friedrich Hund
Fritz Houtermans | awards = Penghargaan Nobel dalam Fisika (2000) }} Herbert Kroemer (lahir 25 Agustus 1928 sebagai Herbert Krömer) adalah Profesor Teknik Elektro dan Komputer di Universitas California, Santa Barbara, menerima Ph.D. dalam fisika teoretis tahun 1952 dari Universitas Gottingen, Jerman, dengan disertasi pada efek elektron panas pada transistor yang saat itu masih baru, mengatur langkah untuk karier dalam penelitian fisika peralatan semikonduktor.

Ia bekerja di sejumlah laboratorium penelitian di Jerman dan Amerika Serikat dan mengajar teknik elektro di Universitas Colorado dari tahun 1968 hingga 1976. Ia bergabung dengan staf pengajar UCSB pada tahun 1976, memfokuskan program riset semikonduktornya pada teknologi semikonduktor campuran yang saat itu muncul daripada teknologi silikon yang utama.

Kroemer, anggota National Academy of Engineering, selalu memilih bekerja pada masalah yang mendahuluo teknologi yang utama. Pada tahun 1950-an, ia menemukan transistor arus dan menjadi orang pertama yang menyatakan bahwa keuntungan dapat peroleh di sejumlah peralatan semikonduktor dengan memasukkan heterojunction ke dalam peralatan itu. Paling terkemuka, pada tahun 1963 ia mengajukan konsep laser heterostruktur ganda, konsep pusat dalam bidang laser semikonduktor. Kroemer menjadi perintis awal dalam epitaksi sinar molekul, berkonsentrasi pada penerapan teknologi itu pada bahan baru yang belum dicoba.

Pada tahun 2000, ia dan Zhores I. Alferov dianugerahi seperempat Hadiah Nobel Fisika "untuk pengembangan heterostruktur semikonduktor yang digunakan dalam elektronik kecepatan tinggi dan optoelektronik". Hadiah itu juga diterima oleh Jack S. Kilby untuk prestasi yang berbeda.

Pranala luar

Didahului oleh:
Herwig Kogelnik
Medali Kehormatan IEEE
2002
Diteruskan oleh:
Nick Holonyak